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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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栅极电荷：13.9nC@10V
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输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
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漏源电压：40V
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
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输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：4.4A
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
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连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
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输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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功率：1.56W
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栅极电荷：13.9nC@10V
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输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
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输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~150℃
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输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
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连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V，6A
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
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输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSS-13
输入电容：674pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
导通电阻：50mΩ@6A，10V
栅极电荷：13.9nC@10V
功率：1.56W
类型：P沟道
连续漏极电流：4.4A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSS-13
输入电容：674pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
导通电阻：50mΩ@6A，10V
栅极电荷：13.9nC@10V
功率：1.56W
类型：P沟道
连续漏极电流：4.4A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
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