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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFW-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14.2nC@10V
输入电容：1.03nF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
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功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFW-7
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功率：990mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14.2nC@10V
输入电容：1.03nF@20V
连续漏极电流：11.6A
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导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
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功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT40M9LPS-13
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：304A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.9mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDEQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：850mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.201nF@20V
连续漏极电流：8.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4020LFDEQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：850mW
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：25.3nC@10V
输入电容：1.201nF@20V
连续漏极电流：8.6A
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导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT40M9LPS-13
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：304A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.9mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFW-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14.2nC@10V
输入电容：1.03nF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFW-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14.2nC@10V
输入电容：1.03nF@20V
连续漏极电流：11.6A
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导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT40M9LPS-13
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：304A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.9mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT40M9LPS-13
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：304A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.9mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT40M9LPS-13
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：304A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.9mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT40M9LPS-13
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：304A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.9mΩ@10V，50A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFW-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14.2nC@10V
输入电容：1.03nF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
阈值电压：4V@250μA
输入电容：897pF@20V
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：14.6A€52.4A
功率：2.82W€36.6W
栅极电荷：12.1nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT40M9LPS-13
导通电阻：0.9mΩ@10V，50A
连续漏极电流：304A
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCEP4045GU-ES
功率：44.6W
阈值电压：1.7V
栅极电荷：45nC
输入电容：2.4nF
连续漏极电流：59A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCEP4045GU-ES
功率：44.6W
阈值电压：1.7V
栅极电荷：45nC
输入电容：2.4nF
连续漏极电流：59A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：40V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCEP4045GU-ES
功率：44.6W
阈值电压：1.7V
栅极电荷：45nC
输入电容：2.4nF
连续漏极电流：59A
类型：1个N沟道
反向传输电容：165pF
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4008LFDFW-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：990mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：14.2nC@10V
输入电容：1.03nF@20V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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