品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT4004LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:82.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4508pF@20V
连续漏极电流:26A€90A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@20V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4036LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.12W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@20V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.62W€65.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2798pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1181pF@20V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.99W€55.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@20V
连续漏极电流:14.4A€64.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.67W€27.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:15.4A€49.1A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:5.6W€428W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10053pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4026SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1181pF@20V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:11.5A€49.8A
类型:N沟道
导通电阻:13.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:990mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:14.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:11.6A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4010LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@20V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4036LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.12W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:20.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:5.6W€428W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10053pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4034SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3062pF@20V
连续漏极电流:20.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN4A06KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@4.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€150W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:15.5A€100A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4035L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:574pF@20V
连续漏极电流:4.6A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: