品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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漏源电压:40V
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功率:660mW
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类型:N沟道
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功率:660mW
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行业应用:工业,汽车
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功率:660mW
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
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分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
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规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
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导通电阻:20mΩ@8A,10V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
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ECCN:EAR99
栅极电荷:19.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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