品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFW-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:990mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14.2nC@10V
输入电容:1.03nF@20V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFW-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:990mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14.2nC@10V
输入电容:1.03nF@20V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFW-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:990mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14.2nC@10V
输入电容:1.03nF@20V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFW-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:990mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14.2nC@10V
输入电容:1.03nF@20V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPD-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42.8W
阈值电压:1V
栅极电荷:10.2nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:43.6A
类型:MOSFET
导通电阻:15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPD-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42.8W
阈值电压:1V
栅极电荷:10.2nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:43.6A
类型:MOSFET
导通电阻:15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPD-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42.8W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:43.6A
类型:MOSFET
导通电阻:15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFW-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:990mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14.2nC@10V
输入电容:1.03nF@20V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
阈值电压:4V@250μA
输入电容:897pF@20V
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:14.6A€52.4A
功率:2.82W€36.6W
栅极电荷:12.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPD-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42.8W
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:43.6A
类型:MOSFET
导通电阻:15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFW-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:990mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14.2nC@10V
输入电容:1.03nF@20V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPD-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42.8W
阈值电压:1V
栅极电荷:10.2nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:43.6A
类型:MOSFET
导通电阻:15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPDW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.67W
阈值电压:2.3V
栅极电荷:12.3nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:MOSFET
导通电阻:12.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.367nF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: