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    品牌: DIODES
    漏源电压: 65V
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订65个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订65个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP68D0LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@5V

    输入电容:36pF@30V

    连续漏极电流:192mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8Ω@100mA,5V

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP68D0LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@5V

    输入电容:36pF@30V

    连续漏极电流:192mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8Ω@100mA,5V

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP68D0LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@5V

    输入电容:36pF@30V

    连续漏极电流:192mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8Ω@100mA,5V

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP68D0LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@5V

    输入电容:36pF@30V

    连续漏极电流:192mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8Ω@100mA,5V

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订54个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订54个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D4LFB-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D4LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.1nC@10V

    输入电容:40pF@30V

    连续漏极电流:407mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP68D0LFB-7B

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@5V

    输入电容:36pF@30V

    连续漏极电流:192mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8Ω@100mA,5V

    漏源电压:65V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP68D0LFB-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP68D0LFB-7B

    功率:500mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:4.1nC@5V

    输入电容:36pF@30V

    漏源电压:65V

    连续漏极电流:192mA

    阈值电压:2.1V@250μA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8Ω@100mA,5V

    包装清单:商品主体 * 1

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