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    品牌: DIODES
    漏源电压: 20V
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    当前匹配商品:1800+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2044UCB4-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7

    功率:720mW

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1400pF@10V

    导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005UFG-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:6495pF@10V

    栅极电荷:164nC@10V

    漏源电压:20V

    功率:1.05W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V

    连续漏极电流:18.1A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:900mA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    输入电容:37pF@16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N沟道

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:700mV@250µA

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    输入电容:303pF@15V

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-13

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@50µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2004K-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2004K-7

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    类型:N沟道

    工作温度:-65℃~150℃

    输入电容:150pF@16V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:630mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A03E6TA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A03E6TA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:837pF@10V

    类型:N沟道

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:8.2nC@4.5V

    连续漏极电流:3.7A

    功率:1.1W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UQ-7

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@50µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订15000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订15000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:151pF@10V

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    功率:1.3W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968UQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    输入电容:151pF@10V

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    功率:1.3W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    功率:470mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    连续漏极电流:750mA

    输入电容:36pF@16V

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订73个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058UW-7 起订73个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058UW-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:500mW

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:20V

    输入电容:281pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    连续漏极电流:1.9A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:700mV@250µA

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    输入电容:303pF@15V

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2B14FHTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:872pF@10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:11nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1W

    连续漏极电流:3.5A

    导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN21D2UFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:380mW

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:760mA

    栅极电荷:0.93nC@10V

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.9A

    输入电容:1149pF@10V

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302U-7 起订59个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302U-7 起订59个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302U-7

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@50µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2040U-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2040U-13

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:667pF@10V

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005LPK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005LPK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005LPK-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:440mA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    阈值电压:1.2V@100µA

    类型:N沟道

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:450mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2058U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2058U-7

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.6A

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    输入电容:281pF@10V

    功率:1.13W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UT-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    功率:300mW

    连续漏极电流:230mA

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:14.1pF@15V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFB-7B 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFB-7B 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2990UFB-7B

    连续漏极电流:780mA

    功率:520mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:31pF@15V

    阈值电压:1V@250A

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:0.41nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    连续漏极电流:3.4A

    功率:760mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    输入电容:292pF@10V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB4-7 起订1200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB4-7 起订1200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB4-7

    功率:470mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    连续漏极电流:750mA

    输入电容:36pF@16V

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N02FTC 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N02FTC

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    阈值电压:700mV@250µA

    功率:625mW

    漏源电压:20V

    输入电容:160pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2015UFDE-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:1779pF@10V

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:45.6nC@10V

    连续漏极电流:10.5A

    漏源电压:20V

    导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3414UQ-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3414UQ-7

    连续漏极电流:4.2A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:900mV@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:9.6nC@4.5V

    功率:780mW

    导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    输入电容:829.9pF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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