品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2056U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:339pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2044UCB4-7
功率:720mW
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
输入电容:1400pF@10V
导通电阻:40mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:6495pF@10V
栅极电荷:164nC@10V
漏源电压:20V
功率:1.05W
ECCN:EAR99
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
连续漏极电流:18.1A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7
导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:900mA
漏源电压:20V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
输入电容:37pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
栅极电荷:2.8nC@10V
类型:N沟道
功率:660mW
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
输入电容:303pF@15V
功率:625mW
漏源电压:20V
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-13
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2004K-7
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
类型:N沟道
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:150pF@16V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:630mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:837pF@10V
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
连续漏极电流:3.7A
功率:1.1W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:151pF@10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
功率:1.3W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UQ-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
输入电容:151pF@10V
栅极电荷:8.5nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
功率:1.3W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB-7
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:750mA
输入电容:36pF@16V
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:500mW
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
输入电容:303pF@15V
功率:625mW
漏源电压:20V
栅极电荷:3nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:872pF@10V
类型:N沟道
栅极电荷:11nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:3.5A
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:380mW
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
栅极电荷:0.93nC@10V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2020LSN-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:610mW
类型:N沟道
连续漏极电流:6.9A
输入电容:1149pF@10V
栅极电荷:11.6nC@4.5V
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302U-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
类型:N沟道
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-13
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:667pF@10V
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:7.5nC@4.5V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
漏源电压:20V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
阈值电压:1.2V@100µA
类型:N沟道
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058U-7
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:4.6A
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
输入电容:281pF@10V
功率:1.13W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
功率:300mW
连续漏极电流:230mA
阈值电压:1V@250µA
输入电容:14.1pF@15V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UFB-7B
连续漏极电流:780mA
功率:520mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:31pF@15V
阈值电压:1V@250A
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:0.41nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
连续漏极电流:3.4A
功率:760mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
输入电容:292pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2400UFB4-7
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
连续漏极电流:750mA
输入电容:36pF@16V
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM61N02FTC
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:3.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:180mΩ@930mA,4.5V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
阈值电压:700mV@250µA
功率:625mW
漏源电压:20V
输入电容:160pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2015UFDE-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1779pF@10V
功率:660mW
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:45.6nC@10V
连续漏极电流:10.5A
漏源电压:20V
导通电阻:11.6mΩ@8.5A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3414UQ-7
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:9.6nC@4.5V
功率:780mW
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:829.9pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: