采购热线 400-661-9010
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KE-TP-ES
功率：350mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：1nC
输入电容：56pF
连续漏极电流：880mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF
导通电阻：220mΩ@4.5V，500mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES3139K
功率：350mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES3139K
功率：350mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE2302-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2300-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CJ3420-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES3134KW
功率：350mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：1nC
输入电容：56pF
连续漏极电流：880mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF
导通电阻：220mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP2302B-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2300-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES3134KQ
功率：350mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：800pC
输入电容：33pF
连续漏极电流：880mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF
导通电阻：220mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP2300-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：22mΩ@10V，6.0A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KE-TP-ES
功率：350mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：1nC
输入电容：56pF
连续漏极电流：880mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF
导通电阻：220mΩ@4.5V，500mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302DS-T1-GE3-ES
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.1nC
输入电容：311pF
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：88pF
导通电阻：36mΩ@10V，3.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UW-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：627pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UDJ-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
输入电容：27.6pF@16V
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
类型：N沟道
工作温度：-65℃~150℃
输入电容：150pF@16V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：175pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2990UDJQ-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
类型：N和P沟道互补型
连续漏极电流：450mA€310mA
漏源电压：20V
输入电容：27.6pF@15V€28.7pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UWQ-7
功率：350mW
连续漏极电流：1.5A
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
漏源电压：20V
输入电容：627pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2990UDJ-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：450mA€310mA
输入电容：27.6pF@15V
类型：N和P沟道
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
输入电容：175pF@15V
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UW-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：627pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2990UDJQ-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
类型：N和P沟道互补型
连续漏极电流：450mA€310mA
漏源电压：20V
输入电容：27.6pF@15V€28.7pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UDJ-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
输入电容：27.6pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
