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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：4.6A
输入电容：820pF@15V
栅极电荷：10.1nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V@250μA
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.6A
类型：1个P沟道
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
输入电容：476pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250μA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5V，4.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
