品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V€175pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@16V
导通电阻:400mΩ@4.5V,540mA€700mΩ@4.5V,430mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道
导通电阻:150mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:2个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2A
类型:2个P沟道
导通电阻:150mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: