品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:890mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1610pF@10V
连续漏极电流:6.04A
类型:2P沟道(双)共漏
导通电阻:35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1024UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1.38A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2B14FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:872pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:907pF@10V
连续漏极电流:7.9A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D4UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28.7pF@15V
连续漏极电流:330mA
类型:P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.74nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:630mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2008UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€41W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6909pF@10V
连续漏极电流:14A€54A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UTSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@15V
连续漏极电流:7.4A€18A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.5pF@10V
连续漏极电流:770mA
类型:P沟道
导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.54W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:752pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN26D0UT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1pF@15V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2100UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.54W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:752pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:50mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:460mA
类型:P沟道
导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.5pF@10V
连续漏极电流:770mA
类型:P沟道
导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: