品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104V-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:2.1A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D4UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28.7pF@15V
连续漏极电流:330mA
类型:P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D5UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46.1pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:970mΩ@100mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2008UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€41W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:72nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6909pF@10V
连续漏极电流:14A€54A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UTSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@15V
连续漏极电流:7.4A€18A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.5pF@10V
连续漏极电流:770mA
类型:P沟道
导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:460mA
类型:P沟道
导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP21D0UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:76.5pF@10V
连续漏极电流:770mA
类型:P沟道
导通电阻:495mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1837pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2104LP-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@10V
连续漏极电流:17.5A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.62nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.62nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:820mA
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2301LK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:156pF@6V
连续漏极电流:2.4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2023UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:730mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1837pF@15V
连续漏极电流:7.6A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1013T-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.622nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:460mA
类型:P沟道
导通电阻:700mΩ@350mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2165UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2004K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@16V
连续漏极电流:600mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2069UFY4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:214pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:54mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: