品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
连续漏极电流:5.4A
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:780mW
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:143pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
连续漏极电流:5.4A
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:780mW
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:143pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UFU-7
输入电容:647pF@10V
导通电阻:20.2mΩ@6.5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
漏源电压:20V
阈值电压:950mV@250µA
连续漏极电流:7.5A€21A
类型:2N沟道(双)共源
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.11A
功率:1.39W
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:128.6pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300U-7
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
连续漏极电流:1.24A
输入电容:64.3pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:20V
功率:430mW
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFD-7
功率:470mW
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V
输入电容:67.62pF@25V
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.21A
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300U-7
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
连续漏极电流:1.24A
输入电容:64.3pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:20V
功率:430mW
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UTS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5.2A
输入电容:143pF@10V
导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:1.6nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
输入电容:64.3pF@25V
类型:N沟道
功率:500mW
漏源电压:20V
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UTS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5.2A
输入电容:143pF@10V
导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
类型:2N沟道(双)共漏
ECCN:EAR99
阈值电压:950mV@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
连续漏极电流:5.4A
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:780mW
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:20V
类型:2N沟道(双)共漏
阈值电压:950mV@250µA
输入电容:143pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128.6pF@25V
连续漏极电流:2.11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:0.55W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻:175mΩ
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67.62pF@25V
连续漏极电流:1.21A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N-Channel
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UFU-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:810mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:7.5A€21A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:20.2mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2320UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:520mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:0.89nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:71pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67.62pF@25V
连续漏极电流:1.21A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2019UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:18.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:1.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:64.3pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: