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    品牌: DIODES
    漏源电压: 20V
    栅极电荷: 0.622 nC @ 4.5 V
    当前匹配商品:2
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订数1377000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订数1377000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:270mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V

    输入电容:59.76 pF @ 16 V

    连续漏极电流:460mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订300000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订300000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1013T-7

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:270mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:59.76 pF @ 16 V

    连续漏极电流:460mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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