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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2056U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：339pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2011UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2248pF@10V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2045UFY4-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
导通电阻：45mΩ@4A，4.5V
输入电容：634pF@10V
类型：P沟道
连续漏极电流：4.7A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
功率：720mW
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.3A
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
类型：N沟道
输入电容：1400pF@10V
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：4.6A
输入电容：820pF@15V
类型：P沟道
栅极电荷：10.1nC@4.5V
漏源电压：20V
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：6495pF@10V
栅极电荷：164nC@10V
漏源电压：20V
功率：1.05W
ECCN：EAR99
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
连续漏极电流：18.1A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2038LVT-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：530pF@10V
类型：N和P沟道
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：3.7A€2.6A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
功率：1W
ECCN：EAR99
输入电容：834pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UW-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：627pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2400UFDQ-7
导通电阻：600mΩ@200mA，4.5V
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：900mA
漏源电压：20V
栅极电荷：0.5nC@4.5V
输入电容：37pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：487pF@20V
栅极电荷：6.3nC@4.5V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UVQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
功率：500mW
类型：2个P沟道（双）
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UFDBQ-7
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
输入电容：303pF@15V
功率：625mW
漏源电压：20V
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDF-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
输入电容：2760pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：9A
功率：730mW
漏源电压：20V
栅极电荷：59nC@8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-13
连续漏极电流：4.2A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
类型：N沟道
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2991UDA-7B
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@16V
功率：310mW
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
连续漏极电流：5.4A
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：780mW
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）共漏
阈值电压：950mV@250µA
输入电容：143pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UDJ-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：450mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
输入电容：27.6pF@16V
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：850mW
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2301U-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：130mΩ@2.8A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
输入电容：608pF@6V
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004K-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
类型：N沟道
工作温度：-65℃~150℃
输入电容：150pF@16V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：837pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
连续漏极电流：3.7A
功率：1.1W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFDF-7
连续漏极电流：8.1A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：20.5nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1808pF@15V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
功率：2.03W
导通电阻：29mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UQ-7
连续漏极电流：4.2A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：594.3pF@10V
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
类型：N沟道
阈值电压：1V@50µA
栅极电荷：7nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP210DUFB4-7
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：175pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
输入电容：151pF@10V
栅极电荷：8.5nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
功率：1.3W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1016V-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：870mA€640mA
类型：N和P沟道
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
输入电容：151pF@10V
栅极电荷：8.5nC@4.5V
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
功率：1.3W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
