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    品牌: DIODES
    漏源电压: 20V
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 950mV@250µA
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFL4-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFL4-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128.6pF@25V

    连续漏极电流:2.11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:0.55W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    导通电阻:175mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67.62pF@25V

    连续漏极电流:1.21A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:52
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:40
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订62个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订62个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFU-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UFU-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:7.5A€21A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:20.2mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2019UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:18.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2019UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:18.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2320UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2320UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:71pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2019UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:18.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67.62pF@25V

    连续漏极电流:1.21A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2019UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:18.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2019UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:18.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2019UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:18.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2019UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:18.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2019UTS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2019UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:18.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300U-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.24A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFL4-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFL4-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128.6pF@25V

    连续漏极电流:2.11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:67.62pF@25V

    连续漏极电流:1.21A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UTS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UTS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFL4-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFL4-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:950mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128.6pF@25V

    连续漏极电流:2.11A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2300UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2300UFB4-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64.3pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UTS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UTS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:143pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:23mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
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