品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:980mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UXQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3414UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:829.9pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3414U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:829.9pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UXQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2075U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UXQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2305UX-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3414UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:829.9pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926UDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:980mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:856pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@50µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: