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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8822UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：841pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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类型：N沟道
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功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：DMG8822UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：841pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG8822UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：900mV@250µA
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输入电容：841pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
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规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
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功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
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输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
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功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.4W
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导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
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类型：N沟道
连续漏极电流：4.9A
栅极电荷：4.8nC@10V
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输入电容：452pF@10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：4.9A
栅极电荷：4.8nC@10V
阈值电压：1.5V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：452pF@10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8822UTS-13
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
输入电容：841pF@10V
漏源电压：20V
功率：870mW
类型：2N沟道（双）共漏
连续漏极电流：4.9A
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9.5nC
输入电容：750pF
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF
导通电阻：30mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9.5nC
输入电容：750pF
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF
导通电阻：30mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415
功率：1.39W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：9.5nC
输入电容：750pF
连续漏极电流：4.9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：80pF
导通电阻：30mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
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漏源电压：20V
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功率：1.4W
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栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
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功率：1.4W
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栅极电荷：4.8nC@10V
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连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
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功率：1.4W
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栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
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