采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，8.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4.5V，6.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：1.3nC@10V
输入电容：56pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7R
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：1.3nC@10V
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：56pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2450UFB4-7R
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：1.3nC@10V
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
连续漏极电流：1A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：56pF@16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
