品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:740pC@4.5V
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:740pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:1.3nC@10V
输入电容:56pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7R
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:1.3nC@10V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:56pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7R
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:1.3nC@10V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:56pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存: