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    连续漏极电流
    品牌: DIODES
    漏源电压: 20V
    类型: 1个N沟道
    功率: 800mW
    当前匹配商品:40+
    商品信息
    参数
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    价格
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075U-7 起订数1500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075U-7 起订数1500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075U-7 起订数200个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075U-7 起订数200个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5V,3.6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订46个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订46个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订36个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订36个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2053U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2053U-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:414pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:29mΩ@10V,6A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2055U-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2055U-13

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    连续漏极电流:4.8A

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    输入电容:400pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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