品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2120LFWB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2120LFWB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2120LFWB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2120LFWB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2220LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3413L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:857pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: