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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
栅极电荷：113nC@10V
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输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH2040UVTQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：834pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2018LFK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4748pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2047UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：218pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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