品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:320pF@16V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:150mΩ@4.5V,900mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:48mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:7.7nC@10V
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:48mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
输入电容:335pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@4.5V,1.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:1.3nC@10V
输入电容:56pF@16V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2900UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V
连续漏极电流:850mA
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:500mW
输入电容:335pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个P沟道
栅极电荷:3.5nC@4.5V
导通电阻:90mΩ@4.5V,1.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:500mW
输入电容:594.3pF@10V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
栅极电荷:7nC@4.5V
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
导通电阻:48mΩ@3A,4.5V
连续漏极电流:2.8A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7R
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:1.3nC@10V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:56pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2450UFB4-7R
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:1.3nC@10V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V
连续漏极电流:1A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:56pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
库存: