品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2021UTSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:59nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2760pF@15V
连续漏极电流:7.4A€18A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG9926USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6968U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: