采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139KDW-TP-ES
功率：150mW
阈值电压：620mV@250μA
栅极电荷：1.25nC
输入电容：71pF
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
反向传输电容：15pF
导通电阻：580mΩ@4.5V，0.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2004TK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D6UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：1.1Ω@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
