品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P02XTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2027UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1091pF@10V
连续漏极电流:10A€36A
类型:N沟道
导通电阻:12.5mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P02XTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2041UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:689pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2027UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1091pF@10V
连续漏极电流:10A€36A
类型:N沟道
导通电阻:12.5mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P02XTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDH-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2027UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1091pF@10V
连续漏极电流:10A€36A
类型:N沟道
导通电阻:12.5mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P02XTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P02XTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2027UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1091pF@10V
连续漏极电流:10A€36A
类型:N沟道
导通电阻:12.5mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2041UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:689pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM64P02XTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMS2085LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.05A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A03E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:837pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXM62P02E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:5.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDH-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2040USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:834pF@10V
连续漏极电流:6.5A€12A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:33mΩ@8.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2041UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:689pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A01E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:303pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDH-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: