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    20V
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    行业应用
    品牌: DIODES
    漏源电压: 20V
    功率: 360mW
    类型: N沟道
    当前匹配商品:9
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52.5pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订23个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订23个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52.5pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52.5pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订42个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订42个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52.5pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52.5pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52.5pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52.5pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    类型:N沟道

    输入电容:52.5pF@16V

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2550UFA-7B 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2550UFA-7B

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:450mΩ@200mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    类型:N沟道

    输入电容:52.5pF@16V

    栅极电荷:0.88nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:600mA

    包装清单:商品主体 * 1

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