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    品牌: DIODES
    漏源电压: 100V
    行业应用: 工业
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:1600+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123WQ-7-F 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123WQ-7-F 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123WQ-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:68.8A

    类型:N沟道

    功率:3W

    输入电容:2592pF@50V

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310ASTZ 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310ASTZ 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310ASTZ

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    输入电容:40pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:228pF@50V

    功率:1.8W

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFG-13

    连续漏极电流:2.9A€8.5A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:940mW

    导通电阻:122mΩ@3.3A,10V

    栅极电荷:14.9nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    输入电容:870.7pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123TA

    连续漏极电流:170mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6Ω@100mA,10V

    功率:360mW

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@1mA

    漏源电压:100V

    输入电容:20pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A13FQTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@600mA,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@5V

    功率:625mW

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:600mA

    漏源电压:100V

    输入电容:141pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123WQ-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123WQ-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123WQ-7-F

    连续漏极电流:170mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@1mA

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    功率:200mW

    输入电容:60pF@25V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    功率:1.3W

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17KTC 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:424pF@50V

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.7nC@10V

    漏源电压:100V

    功率:2W

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    输入电容:1167pF@25V

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123TA

    连续漏极电流:170mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6Ω@100mA,10V

    功率:360mW

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@1mA

    漏源电压:100V

    输入电容:20pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC10A07T8TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMHC10A07T8TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1A€800mA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:138pF@60V€141pF@50V

    漏源电压:100V

    功率:1.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310FTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    输入电容:40pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:100mA

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17GQTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17GQTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17GQTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:424pF@50V

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:10.7nC@10V

    漏源电压:100V

    功率:2W

    连续漏极电流:2.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08GTA 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08GTA 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A08GTA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:250mΩ@3.2A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    输入电容:405pF@50V

    阈值电压:2V@250µA

    漏源电压:100V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    功率:1.3W

    输入电容:401pF@25V

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.1W

    类型:N沟道

    输入电容:1477pF@50V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:21nC@10V

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:51.7A

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H400SE-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H400SE-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H400SE-13

    连续漏极电流:2.3A€6A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€13.7W

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@5A,10V

    栅极电荷:17.5nC@10V

    输入电容:1239pF@25V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-13

    栅极电荷:4.6nC@10V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    输入电容:235pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18KTC 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A18KTC 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A18KTC

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@2.8A,10V

    功率:2.17W

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    栅极电荷:26.9nC@10V

    输入电容:1055pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    连续漏极电流:50A

    输入电容:1871pF@50V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    漏源电压:100V

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123TA

    连续漏极电流:170mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6Ω@100mA,10V

    功率:360mW

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@1mA

    漏源电压:100V

    输入电容:20pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP10A17E6TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA

    栅极电荷:6.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:424pF@50V

    导通电阻:350mΩ@1.4A,10V

    类型:P沟道

    功率:1.1W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    阈值电压:3.5V@250µA

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    输入电容:1871pF@50V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08DN8TA 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08DN8TA 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:250mΩ@3.2A,10V

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:405pF@50V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:1.6A

    漏源电压:100V

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:41.2A

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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