品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123WQ-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@170mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13
栅极电荷:53.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:68.8A
类型:N沟道
功率:3W
输入电容:2592pF@50V
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13
栅极电荷:21.4nC@10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:23mΩ@20A,10V
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310ASTZ
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
输入电容:40pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:228pF@50V
功率:1.8W
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
栅极电荷:4.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SFG-13
连续漏极电流:2.9A€8.5A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:940mW
导通电阻:122mΩ@3.3A,10V
栅极电荷:14.9nC@10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
输入电容:870.7pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
输入电容:20pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A13FQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@600mA,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
功率:625mW
ECCN:EAR99
连续漏极电流:600mA
漏源电压:100V
输入电容:141pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123WQ-7-F
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
导通电阻:6Ω@170mA,10V
功率:200mW
输入电容:60pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
功率:1.3W
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17KTC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7
栅极电荷:9.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
功率:1.2W
输入电容:1167pF@25V
导通电阻:160mΩ@5A,10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
输入电容:20pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A€800mA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:138pF@60V€141pF@50V
漏源电压:100V
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN3310FTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
输入电容:40pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
导通电阻:10Ω@500mA,10V
漏源电压:100V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17GQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.7nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
连续漏极电流:2.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08GTA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:7.7nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
输入电容:405pF@50V
阈值电压:2V@250µA
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:8.3nC@10V
功率:1.3W
输入电容:401pF@25V
漏源电压:100V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
功率:3.1W
类型:N沟道
输入电容:1477pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
导通电阻:22mΩ@20A,10V
连续漏极电流:51.7A
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SE-13
连续漏极电流:2.3A€6A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
栅极电荷:17.5nC@10V
输入电容:1239pF@25V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-13
栅极电荷:4.6nC@10V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:700mA
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
输入电容:235pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18KTC
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
功率:2.17W
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:26.9nC@10V
输入电容:1055pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
连续漏极电流:50A
输入电容:1871pF@50V
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123TA
连续漏极电流:170mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:6Ω@100mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
输入电容:20pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.3W
连续漏极电流:14A€80A
输入电容:2085pF@50V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6TA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:424pF@50V
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
类型:P沟道
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1.3A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
功率:1.2W
阈值电压:3.5V@250µA
导通电阻:16mΩ@20A,10V
输入电容:1871pF@50V
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
类型:2N沟道(双)
输入电容:405pF@50V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:100V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13
栅极电荷:21.4nC@10V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:41.2A
导通电阻:23mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1544pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: