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    DIODES Mosfet场效应管 BSS123WQ-7-F 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123WQ-7-F 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123WQ-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LK3-13

    栅极电荷:53.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:68.8A

    类型:N沟道

    功率:3W

    输入电容:2592pF@50V

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7.4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310ASTZ 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310ASTZ 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310ASTZ

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    输入电容:40pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:228pF@50V

    功率:1.8W

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFG-13

    连续漏极电流:2.9A€8.5A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:940mW

    导通电阻:122mΩ@3.3A,10V

    栅极电荷:14.9nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    输入电容:870.7pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123TA

    连续漏极电流:170mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6Ω@100mA,10V

    功率:360mW

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@1mA

    漏源电压:100V

    输入电容:20pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123WQ-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123WQ-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123WQ-7-F

    连续漏极电流:170mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@1mA

    导通电阻:6Ω@170mA,10V

    功率:200mW

    输入电容:60pF@25V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220LQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    功率:1.3W

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4310A 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4310A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    导通电阻:500mΩ@3A,10V

    功率:850mW

    连续漏极电流:900mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:350pF@25V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    输入电容:1167pF@25V

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123TA

    连续漏极电流:170mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6Ω@100mA,10V

    功率:360mW

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@1mA

    漏源电压:100V

    输入电容:20pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN3310FTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN3310FTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    输入电容:40pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:100mA

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08GTA 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A08GTA 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A08GTA

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:7.7nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:250mΩ@3.2A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    输入电容:405pF@50V

    阈值电压:2V@250µA

    漏源电压:100V

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.3nC@10V

    功率:1.3W

    输入电容:401pF@25V

    漏源电压:100V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.1W

    类型:N沟道

    输入电容:1477pF@50V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:21nC@10V

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:51.7A

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H700S-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H700S-13

    栅极电荷:4.6nC@10V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:700mA

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    输入电容:235pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LK3-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    连续漏极电流:50A

    输入电容:1871pF@50V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    漏源电压:100V

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS123TA 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123TA

    连续漏极电流:170mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:6Ω@100mA,10V

    功率:360mW

    类型:N沟道

    阈值电压:2V@1mA

    漏源电压:100V

    输入电容:20pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110A 起订4000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110A 起订4000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL110A

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    漏源电压:100V

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H015LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H015LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    阈值电压:3.5V@250µA

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    输入电容:1871pF@50V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025SK3-13

    栅极电荷:21.4nC@10V

    功率:1.4W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:41.2A

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1544pF@50V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:1.3W

    连续漏极电流:14A€80A

    输入电容:2085pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:9.4A€98A

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3.5V@250µA

    输入电容:3000pF@50V

    功率:1.2W€139W

    栅极电荷:71nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:228pF@50V

    功率:1.8W

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFG-13

    连续漏极电流:2.9A€8.5A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:940mW

    导通电阻:122mΩ@3.3A,10V

    栅极电荷:14.9nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    输入电容:870.7pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110GTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL110GTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL110GTA

    输入电容:75pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    类型:N沟道

    阈值电压:1.5V@1mA

    连续漏极电流:600mA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    输入电容:1172pF@50V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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