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    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870.7pF@25V

    连续漏极电流:2.9A€8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:122mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H099SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H099SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H099SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H400SEQ-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H400SEQ-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H400SEQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€13.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1239pF@25V

    连续漏极电流:2.3A€6A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFDE-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:47.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SFG-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870.7pF@25V

    连续漏极电流:2.9A€8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:122mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10B08E6TA 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10B08E6TA 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10B08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:497pF@50V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订59个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订59个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP10H4D2S-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP10H4D2S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@25V

    连续漏极电流:270mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H120SFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H120SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:549pF@50V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H099SK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H099SK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H099SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H100SK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H100SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVT-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVT-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015LPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015LPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SVTQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SVTQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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