品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:12.4A€47A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.87A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:12.4A€47A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.87A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009LCG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2309pF@50V
连续漏极电流:12.4A€47A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:18.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:384pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: