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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
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功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESGNF10R90
功率：5.2W
阈值电压：1.65V@250μA
栅极电荷：4.2nC
输入电容：206pF
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF
导通电阻：90mΩ@10V，2.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE0103M-ES
功率：5.2W
阈值电压：1.65V@250μA
栅极电荷：4.2nC
输入电容：206pF
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF
导通电阻：90mΩ@10V，2.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESGNF10R90
功率：5.2W
阈值电压：1.65V@250μA
栅极电荷：4.2nC
输入电容：206pF
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF
导通电阻：90mΩ@10V，2.5A
漏源电压：100V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE0103M-ES
功率：5.2W
阈值电压：1.65V@250μA
栅极电荷：4.2nC
输入电容：206pF
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF
导通电阻：90mΩ@10V，2.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE0103M-ES
功率：5.2W
阈值电压：1.65V@250μA
栅极电荷：4.2nC
输入电容：206pF
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF
导通电阻：90mΩ@10V，2.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESGNF10R90
功率：5.2W
阈值电压：1.65V@250μA
栅极电荷：4.2nC
输入电容：206pF
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF
导通电阻：90mΩ@10V，2.5A
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A09KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1313pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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