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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4A
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连续漏极电流：4A
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输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
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连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
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阈值电压：3V@250μA
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连续漏极电流：4A
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功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
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输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：4A
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导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
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连续漏极电流：4A
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导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
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功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
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输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
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输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
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输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.2nC@10V
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：230mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
功率：800mW
类型：1个N沟道
输入电容：266pF@50V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W€1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：33.3nC@10V
输入电容：1.871nF@50V
连续漏极电流：44A€7.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10B08E6TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：230mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10B08E6TA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：230mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
