品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:10.7A€113A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:4.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:274pF@50V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:4.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:859pF@50V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@50V
连续漏极电流:46.3A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1313pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:859pF@50V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@50V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:274pF@50V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A07ZTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:2.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1313pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:859pF@50V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A25GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:859pF@50V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H700S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:4.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: