品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H017LPD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€78W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1986pF@50V
连续漏极电流:54.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17.4mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H017LPD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€78W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1986pF@50V
连续漏极电流:54.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17.4mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H017LPD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€78W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1986pF@50V
连续漏极电流:54.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17.4mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H017LPD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€78W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1986pF@50V
连续漏极电流:54.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17.4mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H017LPD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€78W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1986pF@50V
连续漏极电流:54.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17.4mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
类型:2N沟道(双)
输入电容:405pF@50V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:100V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
类型:2N沟道(双)
输入电容:405pF@50V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:100V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
类型:2N沟道(双)
输入电容:405pF@50V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:1.6A
漏源电压:100V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H017LPD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€78W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1986pF@50V
连续漏极电流:54.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17.4mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: