品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
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功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
漏源电压:100V
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类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
漏源电压:100V
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连续漏极电流:170mA
输入电容:60pF@25V
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类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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连续漏极电流:170mA
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
功率:200mW
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