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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
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功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H072LFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
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功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H072LFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H072LFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
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输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
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功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：DMT10H072LFDFQ-7
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
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输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：DMT10H072LFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
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输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT10H072LFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
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输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFDFQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：8.3nC@10V
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：220mΩ@10V，1.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：401pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
