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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025SK3-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025SK3-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1544pF@50V

    连续漏极电流:46.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015LPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015LPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H003SPSW-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H003SPSW-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5542pF@50V

    连续漏极电流:166A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H003SPSW-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H003SPSW-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5542pF@50V

    连续漏极电流:166A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H015LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@50V

    连续漏极电流:7.3A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:51.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H003SPSW-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H003SPSW-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5542pF@50V

    连续漏极电流:166A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€166W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:51.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:51.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H005SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H005SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8474pF@50V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:51.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€166W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025LK3Q-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:51.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€166W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1544pF@50V

    连续漏极电流:46.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1544pF@50V

    连续漏极电流:46.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H025SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1544pF@50V

    连续漏极电流:46.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H010SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:56.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4468pF@50V

    连续漏极电流:11.8A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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