品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@50V
连续漏极电流:46.3A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H015LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:7.3A€44A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H015LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€46W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:7.3A€44A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H015LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€46W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:7.3A€44A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H015LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:7.3A€44A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H003SPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5542pF@50V
连续漏极电流:166A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€166W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H005SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111.7nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8474pF@50V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€166W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:51.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€166W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@50V
连续漏极电流:46.3A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@50V
连续漏极电流:46.3A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H025SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1544pF@50V
连续漏极电流:46.3A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H010SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4468pF@50V
连续漏极电流:11.8A€123A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: