品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:850pC@4.5V
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
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功率:540mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:850pC@4.5V
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:25V
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功率:540mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:850pC@4.5V
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@4.5V,200mA
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包装清单:商品主体 * 1
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