品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
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栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
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栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
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栅极电荷:1nC
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连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
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栅极电荷:1nC
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连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
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连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
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栅极电荷:1nC
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连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
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连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
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连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
阈值电压:1V
漏源电压:25V
导通电阻:450mΩ
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
功率:460mW
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250μA
栅极电荷:360pC@4.5V
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:850pC@4.5V
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:850pC@4.5V
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:850pC@4.5V
输入电容:70.13pF@15V
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:350mΩ@4.5V,200mA
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1012UWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V
栅极电荷:1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:950mA
类型:MOSFET
导通电阻:450mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6301UDW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:360pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:2个N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: