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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：590pC@10V
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：10Ω@10V，12.6A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：10Ω@5V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：10Ω@5V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：8Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
导通电阻：2Ω@5V，1mA
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：45pF@25V
漏源电压：50V
类型：1个P沟道
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：130mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：10Ω@5V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84DWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：2Ω@5V，1mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：10Ω@5V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84Q-13-F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：590pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP510DL-13
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
功率：310mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：24.6pF@25V
漏源电压：50V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
阈值电压：2V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
