品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:2个P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:800mV
栅极电荷:600pC
包装方式:Reel
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.6Ω
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:800mV
栅极电荷:600pC
包装方式:Reel
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.6Ω
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:800mV
栅极电荷:600pC
包装方式:Reel
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.6Ω
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:800mV
栅极电荷:600pC
包装方式:Reel
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.6Ω
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:800mV
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类型:MOSFET
导通电阻:1.6Ω
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:800mV
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包装方式:Reel
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.6Ω
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:800mV
栅极电荷:600pC
包装方式:Reel
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.6Ω
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:800mV
栅极电荷:600pC
包装方式:Reel
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.6Ω
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:800mV
栅极电荷:600pC
包装方式:Reel
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.6Ω
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
包装方式:Reel
栅极电荷:600pC
漏源电压:50V
导通电阻:1.6Ω
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:800mV
功率:430mW
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
导通电阻:2Ω@5V,1mA
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:45pF@25V
漏源电压:50V
类型:1个P沟道
阈值电压:2V@1mA
连续漏极电流:130mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
包装方式:Reel
栅极电荷:600pC
漏源电压:50V
导通电阻:1.6Ω
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:800mV
功率:430mW
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LDW-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:2个N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN55D0UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:160mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@4V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:430mW
阈值电压:800mV
栅极电荷:600pC
包装方式:Reel
连续漏极电流:350mA
类型:MOSFET
导通电阻:1.6Ω
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:2Ω@5V,1mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: