采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：950pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN55D0UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@4V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@10V，8A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：820mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：902.7pF@25V
连续漏极电流：9.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@10V，8A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：800pC@10V
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
