品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.8W€136W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1.925nF@30V
连续漏极电流:11.76A€89.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP75GTA
功率:2.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,700mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP75GTA
功率:2.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,700mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:400pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP75GTA
功率:2.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,700mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-01-F
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:11W€900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP75GTA
功率:2.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,700mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP75GTA
功率:2.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,700mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP75GTA
功率:2.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,700mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP75GTA
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,700mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT616MLSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.39W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:13.6nC@10V
输入电容:785pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP75GTA
功率:2.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,700mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP75GTA
功率:2.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,700mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP75GTA
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,700mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP75GTA
功率:2.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@10V,700mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-01-F
功率:150mW
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@5V,50mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT1G-ES
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ES35N06A
功率:25W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:20nC
输入电容:1.15nF
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF
导通电阻:26mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3-ES
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: