品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
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输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN67D8LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: