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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT68M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2107pF@30V
连续漏极电流：28.9A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT68M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2107pF@30V
连续漏极电流：28.9A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT68M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2107pF@30V
连续漏极电流：28.9A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT68M8LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2107pF@30V
连续漏极电流：28.9A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6018LDR-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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