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    品牌: DIODES
    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    阈值电压: 1V@250µA
    当前匹配商品:900+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16DN8TA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16DN8TA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A16DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1021pF@30V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17GQTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9UWQ-7 起订49个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9UWQ-7 起订49个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:440mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:28.5pF@30V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDW-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDW-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16DN8QTA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16DN8QTA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A16DN8QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.81W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1021pF@30V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7B 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7B 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC6A09DN8TA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC6A09DN8TA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC6A09DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1407pF@40V€1580pF@40V

    连续漏极电流:3.9A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:45mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13GTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13GTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:219pF@30V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:390mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11DN8TA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16DN8TA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16DN8TA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A16DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1021pF@30V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GQTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GQTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC4559DN8TA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC4559DN8TA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC4559DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V€1021pF@30V

    连续漏极电流:3.6A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16KTC 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16KTC 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A16KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.11W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:24.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1021pF@30V

    连续漏极电流:5.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17KTC 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17KTC 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.11W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7 起订59个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7 起订59个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-7 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-7 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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