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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
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功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
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输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
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输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
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连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：3V@250µA
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行业应用：工业,汽车
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功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
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输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
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功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
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输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
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功率：2W
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
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输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
输入电容：584pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：50mΩ@6A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：8.8nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：25A
阈值电压：3V@250µA
功率：2W
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库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4905STRLPBF-ES
功率：30W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4.295nF@30V
连续漏极电流：25A
反向传输电容：140pF@30V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4905STRLPBF-ES
功率：30W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4.295nF@30V
连续漏极电流：25A
反向传输电容：140pF@30V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IRF4905STRLPBF-ES
功率：30W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4.295nF@30V
连续漏极电流：25A
反向传输电容：140pF@30V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4905STRLPBF-ES
功率：30W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4.295nF@30V
连续漏极电流：25A
反向传输电容：140pF@30V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF4905STRLPBF-ES
功率：30W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：4.295nF@30V
连续漏极电流：25A
反向传输电容：140pF@30V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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