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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMS6005DT8TA
功率：2.13W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：200mΩ@5V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW-7-F-ES
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW-7-F-ES
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002NXAKR
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMS6005DT8TA
功率：2.13W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：200mΩ@5V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMS6005DT8TA
功率：2.13W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：200mΩ@5V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002KDW1T1G-ES
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.4W€7.9W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15.7nC@10V
输入电容：808pF@30V
连续漏极电流：9.4A€17.1A
类型：2个N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMS6005DT8TA
功率：2.13W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：200mΩ@5V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWH6327-ES
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKS
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002KDW1T1G-ES
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002NXAKR
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWH6327-ES
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKS
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002NXAKR
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWH6327-ES
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKS
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKS
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW-7-F-ES
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
